IXFT80N08 系列 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 9 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET, INTR DIODE 85V, 80A
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 85 V 80 A 9 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube