IXGH16N170 系列 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 32 Amps 1700 V 5 V Rds
数据表
1,057库存量
1,380在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXGH16N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
数据表
336库存量
198在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 32 A 190 W - 55 C + 150 C IXGH16N170 Tube