IXGK400N30 系列 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 400 Amps 300V
数据表
299库存量
25在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 300 V 1.15 V - 20 V, 20 V 400 A 1 kW - 55 C + 150 C IXGK400N30 Tube
IXYS IXGK400N30B3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 400 Amps 300V 无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V IXGK400N30 Tube
IXYS IXGK400N30C3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 400 Amps 300V 无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V IXGK400N30 Tube