OptiMOS 8 系列 MOSFET

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
数据表
238库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies ISC016N08NM8SCATMA1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies ISC019N10NM8SCATMA1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape