MOSIX MOSFET

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 340库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.5 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS 39库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.5 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A 434库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 30 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A 228库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 21 nC + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 243库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A 277库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 650 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 34 nC + 150 C 45 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A 交货期 17 周
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube