IGBT 模块

结果: 1,654
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
资格
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 2400 A dual IGBT module
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual 1.2 kV 12.7 V 2.4 kA 400 nA 20 mW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 300 A dual IGBT module
数据表
34库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 1.7 kV 300 A Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 450 A dual IGBT module
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 1.7 kV 450 A Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 4500 V, 450 A dual IGBT module
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual 4.5 kV 2.35 V 450 A 400 nA 1.5 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 600 A dual IGBT module
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 1.7 kV 600 A Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

Single 1.7 kV 750 A Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 900 A dual IGBT module
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual 1.7 kV 1.85 V 800 A 100 nA 20 mW EconoDUAL 3 - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IHV IHM T
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1
Highly Insulated Modules Single 6.5 kV 3.25 V 1 kA 400 nA 3.6 MW 190 mm x 140 mm x 48 mm - 50 C + 135 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IHV IHM T
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

IHM-B Module Triple 4.3 kV 2.75 V 1.2 kA 400 nA 2.4 MW 190 mm x 140 mm x 38.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IHV IHM T
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

IHM-B Module Triple 4.3 kV 2.55 V 1.2 kA 400 nA 2.4 MW 190 mm x 140 mm x 48 mm - 40 C + 150 C Tray
Vishay Semiconductors IGBT 模块 Modules IGBT - IAP IGBT
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay IGBT 模块 MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10

IGBT Modules Reel, Cut Tape


onsemi IGBT 模块 FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1
Si/SiC Hybrid Modules Triple 1 kV 1.88 V 173 A 350 nA 422 W PIM-56 - 40 C + 175 C Tray


onsemi IGBT 模块 MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
数据表
35库存量
最低： 1
倍数： 1
Si/SiC Hybrid Modules Triple 1 kV 1.69 V 192 A 1 uA 511 W - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT 模块 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1

Si/SiC Hybrid Modules Triple 1.2 kV 2 V 92 A 450 nA 266 W PIM-32 - 40 C + 150 C Tray
onsemi IGBT 模块 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE 47库存量
最低： 1
倍数： 1

Tray
onsemi IGBT 模块 1200V 800A QDUAL3
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.65 V 1.6 kA 80 nA 34.2 mW PIM-11 - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
数据表
49库存量
20在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 580 A 400 nA 2 kW 62 mm - 40 C + 125 C Tray
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SOT227
数据表
65库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 650 V 1.85 V 165 A 150 nA 430 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT 1200V 300A
数据表
177库存量
80在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 400 nA 1.6 kW - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT 1200V 450A
数据表
453库存量
20在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 675 A 400 nA 2.25 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT-MODULE
数据表
57库存量
71在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 900 A 400 nA 5.1 kW PRIME2 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT Module 250A 6500V
数据表
27库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 6.5 kV 3 V 250 A 400 nA 1 MW - 50 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT 1700V 3600A
数据表
27库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 1.7 kV 1.9 V 3.6 kA 400 nA 21 kW Module - 40 C + 150 C Tray