STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 203
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集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
数据表
2,485库存量
2,490在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

- 12 V, 16 V AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
数据表
2,789库存量
4,987在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 400 V 1.25 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGD25N40LZAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 1200 Volt 5 Amp
数据表
3,478库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 10 A 55 W - 55 C + 150 C STGD5NB120SZ Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
数据表
产品评论
3,058库存量
最低： 1
倍数： 1

Si IPAK-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 62.5 W - 55 C + 150 C STGD6NC60H-1 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp
数据表
1,783库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 15 A 55 W - 65 C + 150 C STGD7NB60S Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 1200 Volt 3 Amp
数据表
5,316库存量
1,384在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 1.2 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 6 A 25 W - 55 C + 150 C STGF3NC120HD Tube


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
数据表
4,862库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 14 A 24 W - 55 C + 175 C STGF7H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
数据表
3,004库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 15 A 25 W - 55 C + 150 C STGF7NB60SL Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH TM IGBT
数据表
3,855库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 20 A 56 W - 55 C + 150 C STGP10NC60HD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
2,970库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGP30H60DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT
数据表
3,269库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 25 A 80 W - 55 C + 150 C STGP7NC60HD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
数据表
1,343库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
数据表
627库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120F2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-CHANNEL IGBT
数据表
2,568库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.75 V - 25 V, 25 V 60 A 220 W - 55 C + 150 C STGW30NC120HD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30A 600v IGBT
数据表
535库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW30NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
1,033库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGW30V60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
1,428库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT
数据表
838库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
1,016库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60DF Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
数据表
675库存量
600在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 468 W - 55 C + 175 C STGW75M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
数据表
4,373库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGW80H65DFB Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
705库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
数据表
990库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
数据表
692库存量
950在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
数据表
515库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2AG AEC-Q101 Tube