IXYS MOSFET

结果: 1,576
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
151库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 190 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
数据表
479库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 56 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
数据表
1,869库存量
1,899在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
1,272库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 75 Amps 200V 0.018 Rds
数据表
345库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A
数据表
139库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 50 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
数据表
692库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
数据表
483库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
273库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 94 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
218库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A TO-268HV
数据表
315库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
152库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 80A
数据表
207库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET SMD N-CHANNEL POWER MOSFET
数据表
924库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 2.5 kV 200 mA 450 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET
数据表
1,748库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds
数据表
1,125库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 600 mA 34 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 13.3 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET IXTA06N120P TRL
数据表
721库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 600 mA 32 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.3 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Polar Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
数据表
1,052库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET IXTA120P065T TRL
数据表
985库存量
800在途量
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 65 V 120 A 10 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 185 nC - 55 C + 150 C 289 W Enhancement TrenchP Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds
数据表
44库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 50 V 140 A 9 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 200 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 500V 15A N-CH LINEAR
数据表
352库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
数据表
552库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXTA180N10T TRL
数据表
2,492库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 151 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement Trench Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
数据表
240库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263HV-2 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube