IXYS MOSFET

结果: 1,576
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET 600V 14A
数据表
182库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 360Amps 55V
数据表
196库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N Ch Dep Mode FET 250V
数据表
366库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel Clare Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
32库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 98 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXTA130N10T TRL
数据表
328库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchMV Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
数据表
128库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 250 V 64 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
145库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 12 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200V/90A X3-Class HiPerFET
数据表
269库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
数据表
420库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 800 mA 20.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Polar Tube
IXYS MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds
数据表
316库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 1 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 17.6 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds
数据表
600库存量
294在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 85 V 24 A 65 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
数据表
332库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 74 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET
数据表
225库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
数据表
299库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHV Tube
IXYS MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds
数据表
847库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27.4 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchP Power MOSFET
数据表
389库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 150 V 15 A 240 mOhms Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A
数据表
237库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
166库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180A 250V
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 180 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
数据表
798库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
IXYS MOSFET TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
数据表
214库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET
数据表
641库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 200 mA 60 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 44 Amps 500V
数据表
215库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 500 V 46 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 260 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement Tube