PolarHT MOSFET

结果: 38
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
数据表
390库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
数据表
4,629库存量
2,050在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
数据表
344库存量
168在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
数据表
4库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 100 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
数据表
549库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
数据表
287库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 250 V 42 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds
数据表
1,192库存量
1,225在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 700 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
数据表
673库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
数据表
353库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
数据表
54库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds
数据表
302库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 62 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
数据表
39库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
数据表
290库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
数据表
900在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement PolarHT Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
数据表
交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
数据表
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds
数据表
交货期 39 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 190 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A
数据表
无库存交货期 37 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET IXTA16N50P TRL
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Reel
IXYS MOSFET IXTA36N30P TRL
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET IXTA42N25P TRL
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 42 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Reel
IXYS MOSFET IXTA50N20P TRL
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Reel