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2030 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CML Micro MMA-012030 MMA-012030 CML Micro 受限供货情况	制造商零件编号 MMA-012030 Mouser 零件编号 938-MMA-012030	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管	数据表			受限供货情况			P-Channel	GaAs	500 mA	12.5 V	100 MHz to 20 GHz	12.5 dB	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	Die	Gel Pack
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CML Micro MMA-012030-M4 MMA-012030-M4 CML Micro 受限供货情况	制造商零件编号 MMA-012030-M4 Mouser 零件编号 938-MMA-012030-M4	CML Micro	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管	数据表			受限供货情况			P-Channel	GaAs	500 mA	12.5 V	100 MHz to 20 GHz	12.5 dB	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	Die	Reel

2030 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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