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2815 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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晶体管极性

Id-连续漏极电流

Vds-漏源极击穿电压

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零件编号

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

UF28150J
MACOM
1: ¥4,781.1543

制造商零件编号
UF28150J

Mouser 零件编号
937-UF28150J

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

数据表

更多信息可用

¥4,781.1543

¥4,066.644

最低： 1
倍数： 1

N-Channel

16 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

8 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz

UF2815B
MACOM
20: ¥910.4523
无库存交货期 26 周

制造商零件编号
UF2815B

Mouser 零件编号
937-UF2815B

MACOM

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz

数据表

无库存交货期 26 周

¥910.4523

最低： 20
倍数： 20

2815 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

昴氏(上海)电子贸易有限公司

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