2820 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 3
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
安装风格


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 24 A 65 V 175 MHz 13 dB 20 W + 200 C Screw Mount
MACOM DU28200M
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,200W,28V,2-175MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 20 A 65 V 175 MHz 13 dB 200 W + 200 C Screw Mount
MACOM UF2820P
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,20W,28V,100-500MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20

Si