293 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 15
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
255库存量
50在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 20 A 125 V 175 MHz 14 dB 150 W + 200 C Screw Mount Bulk
Microchip Technology VRF2933MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 42 A 180 V 150 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
数据表
104库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 125 V 250 MHz 16 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M244 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
603库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 20 A 125 V 230 MHz 15 dB 150 W + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
数据表
35库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 42 A 180 V 30 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 36库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 125 V 250 MHz 15 dB 300 W + 200 C Screw Mount Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF978P/SOT539/TRAY
数据表
86库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 54 mOhms 700 MHz 24.5 dB 1.2 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

Si Bulk
STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

Si Bulk
STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION 无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

Si Bulk
STMicroelectronics SD2931-12MR
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

Si Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
STMicroelectronics SD2931-14
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 .500 DIA 4-L W/FLG
Si Bulk