2941 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
数据表
33库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 15 dB 175 W + 200 C Screw Mount Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY
数据表
181库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 700 MHz 25.7 dB 500 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 11 dB 400 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray