5112 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
数据表
42库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150FE/SOT467C/TRAY
数据表
83库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 65 V 482 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 150 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART450FE/SOT1121/TRAY
数据表
1库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 340 mOhms 1 MHz to 650 MHz 27 dB 450 W + 225 C Screw Mount SOT1121A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502A-3 Tray