S500 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
数据表
110库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP
数据表
118库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 120 mOhms 423 MHz to 443 MHz 25.2 dB 500 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP
数据表
57库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 174 mOhms, 250 mOhms 600 MHz to 960 MHz 19 dB 500 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-6F-1-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-500A/PALLET/REELDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 48 V 142 mOhms, 203 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.9 dB 500 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-500A/PALLET/TRAYDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 48 V 142 mOhms, 203 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.9 dB 500 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Tray