HiPerFET 分立半导体模块

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
Vgs - 栅极-源极电压
安装风格
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 分立半导体模块 26 Amps 1000V 0.39 Rds
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N100 Tube
IXYS 分立半导体模块 26 Amps 1200V
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N120 Tube
IXYS 分立半导体模块 30 Amps 1200V 0.35 Rds
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN30N120 Tube
IXYS 分立半导体模块 38 Amps 800V 0.22 Rds
数据表
无库存交货期 27 周

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN38N80 Tube