Microchip 碳化硅MOSFET

结果: 130
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
数据表
217库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
数据表
982库存量
210在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
数据表
44库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-268
数据表
98库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 65 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
115库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
115库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
105库存量
最低： 1
倍数： 1

Thorugh Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
120库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
117库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
310库存量
60在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 3300V 400 mOhm TO-247-4L-Notch
数据表
109库存量
58在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 3.3 kV 11 A 520 mOhms - 10 V, + 23 V 2.97 V 37 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 22 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 194 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
81库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
52库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 75 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 93 nC - 55 C + 175 C 304 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
58库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 71 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 137 nC - 55 C + 175 C 371 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
数据表
91库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
数据表
132库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
数据表
80库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
数据表
181库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247
数据表
178库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
数据表
542库存量
60在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement