射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 654
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 250 mA to 300 mA 8 V 18 GHz 11 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
108库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
143库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
数据表
71库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 21 dB 600 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
数据表
61库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 10 MHz to 4 GHz 12 dB 21.3 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20G/TO270/REEL
数据表
78库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V
数据表
486库存量
500在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology ARF465AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
数据表
277库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 6 A 1.2 kV 60 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology VRF2933MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 42 A 180 V 150 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
30库存量
最低： 10
倍数： 10

N-Channel GaAs 26 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
数据表
115库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 25 V 1 GHz 12 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 180 mA to 220 mA 7.5 V 26 GHz 13 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
数据表
575库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
数据表
426库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

N-Channel Si 3 A 12 V 470 MHz 11.5 dB 36.5 dBm + 150 C SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 150 mA to 190 mA 7.5 V 28 GHz 12 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
数据表
90库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 250

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel, Cut Tape, MouseReel


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 24 A 65 V 175 MHz 13 dB 20 W + 200 C Screw Mount
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
数据表
50库存量
最低： 10
倍数： 10
: 10
GaAs 120 mA 4 V 26 GHz 10 dB, 13 dB 16 dBm + 150 C Die Reel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 175 mA 4.5 V 26 GHz 8 dB, 11 dB 20 dBm + 150 C Die Bulk
Microchip Technology ARF468AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
数据表
18库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

Dual N-Channel Si 2.5 A 95 V 1 Ohms 1 GHz 20 dB 120 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology ARF465BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 6 A 1.2 kV 60 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
MACOM MRF175GU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

Si