射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 654
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FES/SOT539/TRAY
数据表
501库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FE/SOT539/TRAY
数据表
134库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART35FE/SOT467C/TRAY
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248库存量
120在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 65 V 1.6 Ohms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 35 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FH/SOT1214/TRAY
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117库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT1214A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
数据表
125库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
数据表
42库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
数据表
110库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY
数据表
181库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 700 MHz 25.7 dB 500 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF978P/SOT539/TRAY
数据表
86库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 54 mOhms 700 MHz 24.5 dB 1.2 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
数据表
115库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 19 dB 600 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL
数据表
2,218库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 21 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30G/TO270/REEL
数据表
88库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 32 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
数据表
77库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel GaN Si 50 V 240 mOhms 0 Hz to 3.5 GHz 15 dB 100 W + 300 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel GaN Si 50 V 240 mOhms 0 Hz to 3.5 GHz 15 dB 100 W + 300 C SMD/SMT SOT467B-3 Tray

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
119库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 14 A 500 V 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
70库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 14 A 500 V 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 10 A 500 V 150 MHz 15 dB 900 W - 55 C + 175 C Screw Mount
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
数据表
1,311库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 17.7 dB 33 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
数据表
35库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 42 A 180 V 30 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 50 A 180 V 30 MHz 25 dB 400 W - 65 C + 150 C Screw Mount
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
数据表
3,052库存量
更多信息可用
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
438库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
682库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
566库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
数据表
33库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 15 dB 175 W + 200 C Screw Mount Bulk