射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 654
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 21库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C 8库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 10 A 500 V 150 MHz 15 dB 900 W - 55 C + 175 C Screw Mount
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4 152库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-WB-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V 3,074库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V 291库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 17.7 dB 33 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1 3库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 60 A 500 V 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1 4库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 8 A 1 kV 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 36库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 40 A 125 V 250 MHz 15 dB 300 W + 200 C Screw Mount Tube
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 20库存量
最低: 1
倍数: 1

GaAs 240 mA to 280 mA 18 GHz 13 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 10库存量
最低: 1
倍数: 1

GaAs 310 mA to 360 mA 12 GHz 13 dB 30.5 dBm + 150 C Die Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART450FE/SOT1121/TRAY 1库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 340 mOhms 1 MHz to 650 MHz 27 dB 450 W + 225 C Screw Mount SOT1121A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL 80库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.7 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL 90库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/REEL 100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 65 mOhms, 111 Ohms 2.11 GHz to 2.18 GHz 15.7 dB 570 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/REELDP 87库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 90.1 mOhms, 155.8 mOhms 2.496 GHz to 2.69 GHz 13.3 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/REEL 99库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 6.4 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP 100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP 35库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-stage power MMIC 45库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70/TO270/REEL 77库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 185 mOhms 2 GHz 17.8 dB 70 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55SG/TO270/REEL 2库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 30 V 60 mOhms 520 MHz 19.6 dB 55 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55S/TO270/REEL 69库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 30 V 60 mOhms 520 MHz 19.6 dB 55 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9LA25SG/TO270/REEL 102库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 40 V 128 mOhms 941 MHz 18.8 dB 25 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology VRF150MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174 4库存量
11在途量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 150 MHz 18 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 41库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

Si 1 mA 105 V 2.8 Ohms 390 MHz to 450 MHz 25 dB 12 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel