射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 654
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
7库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 1.4 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 18 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVJD5121NT1G-M06
onsemi 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
数据表
17,412库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 6库存量
1,575在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

N-Channel Si 10 mA 65 V 2 Ohms 900 MHz to 2.7 GHz 19.5 dB 5 W + 225 C SMD/SMT SON-10 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 180 V 150 MHz 18 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF647P/SOT1121/TRAY
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 18 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT-1121A-5 Tray
Microchip Technology VRF151
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4.5 A 65 V 150 MHz 17 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 26 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 11.2 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
数据表
更多信息可用
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

GaAs 26 mA 173 Ohms 26 GHz 11 dB 20 dBm + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL
数据表
更多信息可用
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
10在途量
最低： 1
倍数： 1
: 10

N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 12 dB 30 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
Microchip Technology VRF141
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 20 A 80 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
N/A
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 6.5 A 1 kV 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology VRF151MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
数据表
无库存交货期 5 周
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 10
倍数： 10

GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存交货期 7 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 340 mOhms 960 MHz to 1.6 GHz 18.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 50
倍数： 50
: 50

N-Channel Si 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 16 dB 700 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
数据表
交货期 18 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel GaAs 120 mA 3 V 45 MHz to 6 GHz 18.6 dB 20.7 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 1

N-Channel Si 13 A 1 kV 1 Ohms 45 MHz 16 dB 300 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T2
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 1

Si
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 15 A 500 V 100 MHz 16 dB 400 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology VRF151G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 36 A 170 V 175 MHz 16 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT SOE-4