新款分立半导体

Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BXK9Q29-60A N沟道沟槽MOSFET是一种采用沟槽MOSFET技术的增强模式场效应晶体管（FET），采用小型SOT8002-3（MLPAK33）SMD塑料封装。这款N沟道MOSFET具有逻辑极兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。BXK9Q29-60A沟槽MOSFET具有60V最大漏源电压、84A最大峰值漏极电流和27W最大总耗散功率。这款N沟道MOSFET的典型漏极-源极导通电阻为23.7mΩ，最大非重复性漏极-源极雪崩能量为25mJ，最大非重复性雪崩电流为15.8A。BXK9Q29-60A沟槽MOSFET符合欧盟/中国RoHS标准。典型应用包括LED灯、开关电路和DC-DC转换。