新款晶体管

Nexperia BXK9Q29-60A N沟道沟槽MOSFET是一种采用沟槽MOSFET技术的增强模式场效应晶体管(FET),采用小型SOT8002-3(MLPAK33)SMD塑料封装。这款N沟道MOSFET具有逻辑极兼容,开关速度快,完全符合AEC-Q101标准,工作温度为175°C。BXK9Q29-60A沟槽MOSFET具有60V最大漏源电压、84A最大峰值漏极电流和27W最大总耗散功率。这款N沟道MOSFET的典型漏极-源极导通电阻为23.7mΩ,最大非重复性漏极-源极雪崩能量为25mJ,最大非重复性雪崩电流为15.8A。BXK9Q29-60A沟槽MOSFET符合欧盟/中国RoHS标准。典型应用包括LED灯、开关电路和DC-DC转换。
-
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET逻辑级兼容,开关速度快,完全符合AEC-Q101标准,工作温度为175°C。2025/9/9 -
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。2025/7/3 -
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET常闭电子模式设备,具有卓越的性能和极低的导通电阻。2025/7/3 -
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET这些FET采用TOLT、TO247和TOLL封装,使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台。2025/7/1 -
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于电机驱动器。2025/6/30 -
Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET专为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。2025/6/23 -
onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET该产品可在紧凑型5mmx6mm PowerFLAT封装中提供出色的热性能和低RDS(on)。2025/6/23 -
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET具有低导通电阻,非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。2025/6/16 -
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETsThese MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).2025/6/9 -
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET采用节省空间的DFN-8封装,具有低RDS(on) 值和快速开关特性。2025/6/9 -
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET一款紧凑型高性能MOSFET,设计用于低压开关应用。2025/6/4 -
Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET汽车级和工业级MOSFET,最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ。2025/6/3 -
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETsFeatures low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.2025/6/3 -
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET根据超级结(SJ)原理设计,具有低开关和导通损耗。2025/6/3 -
onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽(SiC)模块该模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥和带三氧化二铝 (Al2O3) DBC陶瓷基板的热敏电阻,封装为F1型。2025/5/23 -
onsemi NVBG050N170M1碳化矽(SiC)MOSFET最大76mΩ,在20V最大RDS(ON) 和1700V漏极至源极电压时。2025/5/22 -
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。2025/5/22 -
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power TransistorsDesigned for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.2025/5/15 -
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.2025/5/15 -
Wolfspeed YM六单元碳化硅电源模块汽车级模块,设计用于实现无缝设计集成和耐用性。2025/5/14 -
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET设计用于处理大电流,这对于直流-直流电源转换级至关重要。2025/5/13 -
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETsDelivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.2025/5/6 -
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管设计工作在高频下具有出色的效率,使超快速开关成为可能。2025/5/2 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET提供优良栅极电荷 x RDS(on) 积 (FOM) 和低导通电阻RDS(on) 。2025/4/30 -
onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET具有低RDS(on) 和低电容,采用符合AEC-Q101标准的3.3mm x 3.3mm小型封装。2025/4/28 -
