射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 627
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
数据表
165库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W + 200 C SMD/SMT 221-11-3
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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3,796库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 15 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
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6,597库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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1,546库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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870库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET
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532库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 500

N-Channel Si 1.5 A 66 V 1 GHz 21.1 dB 14 W + 150 C Screw Mount TO-270 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
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60库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 30 A 1 kV 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
1,494库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz
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537库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 45 MHz to 6 GHz 8.9 dB 20.3 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.4 mm x 1.2 mm Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz
数据表
433库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 10 MHz to 4 GHz 12.3 dB 21.5 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
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15,675库存量
15,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

N-Channel Si 3 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 15 dB 8 W - 40 C + 150 C SMD/SMT DFN-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
数据表
828库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 500

N-Channel Si 15 mA 3 V 45 MHz to 6 GHz 20.9 dB 20 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
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168库存量
160在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 900 mA 65 V 400 MHz 11 dB 5 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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503库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 8 A 40 V 870 MHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 165 C SMD/SMT PowerSO-12 Tube
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70G/TO270/REEL
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89库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 65 V 370 mOhms 2 GHz 19.3 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 12 A 65 V 175 MHz 13 dB 60 W + 200 C Screw Mount


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 65 V 150 MHz 15 dB 150 W + 200 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP
数据表
57库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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207库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

N-Channel Si 105 V 720 MHz to 960 MHz 19.2 dB 100 W - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-780-4 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
472库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
数据表
972库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

N-Channel Si 4.7 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 16.2 dB 6.5 W - 40 C + 150 C SMD/SMT HVSON-16 Reel, Cut Tape


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 65 V 30 MHz to 90 MHz 13 dB 8 W + 200 C Screw Mount
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
90库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
数据表
无库存交货期 53 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 150

N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
210库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube