射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 627
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices 100库存量
最低: 10
倍数: 10

GaAs 175 mA 4.5 V 26 GHz 8 dB, 11 dB 20 dBm + 150 C Die Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST 576库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS 430库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

N-Channel Si 3 A 12 V 470 MHz 11.5 dB 36.5 dBm + 150 C SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100库存量
最低: 10
倍数: 10

GaAs 150 mA to 190 mA 7.5 V 28 GHz 12 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 90库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology ARF468AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264 1库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Tube
Microchip Technology VRF141
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174 24库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 20 A 80 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 22库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz 18库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

Dual N-Channel Si 2.5 A 95 V 1 Ohms 1 GHz 20 dB 120 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
Microchip Technology ARF465BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source 22库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 6 A 1.2 kV 60 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
MACOM MRF175GU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS 4库存量
最低: 1
倍数: 1

Si
MACOM DU2810S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz 51库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 2.8 A 65 V 175 MHz 13 dB 10 W + 200 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY 120库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel GaN SiC 50 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 16 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 110库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981S/SOT467/TRAY 55库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467B-2 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981/SOT467/TRAY 31库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467C-2 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL 58库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 23.8 dB 170 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor 20库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 120

N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K9FHU/SOT1214/TRAY 187库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 69 mOhms 1 MHz to 500 MHz 24.6 dB 1.9 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL 82库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 29 dB + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 581库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PEG/REEL 142库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PE/REELDP 72库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FHS/SOT1214/TRAY 58库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Tray