射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 627
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY 115库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 19 dB 600 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30G/TO270/REEL 88库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 32 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY 77库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel GaN Si 50 V 240 mOhms 0 Hz to 3.5 GHz 15 dB 100 W + 300 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY 60库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel GaN Si 50 V 240 mOhms 0 Hz to 3.5 GHz 15 dB 100 W + 300 C SMD/SMT SOT467B-3 Tray
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N 1,075库存量
4,000在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

N-Channel Si 68 V 1 MHz to 2 GHz 18 dB 4 W + 150 C SMD/SMT PLD-1.5-4 Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source 119库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 14 A 500 V 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source 70库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 14 A 500 V 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 35库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 42 A 180 V 30 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 20库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 50 A 180 V 30 MHz 25 dB 400 W - 65 C + 150 C Screw Mount
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 389库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 600

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 682库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 600

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor 580库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 234库存量
396在途量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
最低: 1
倍数: 1

Si Bulk


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz 33库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 15 dB 175 W + 200 C Screw Mount Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz 75库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 175 MHz 15 dB 350 W + 200 C Screw Mount Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz 71库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS 66库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177MR-5 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp 51库存量
40在途量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch 75库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor 46库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 25.1 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz 19库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4 154库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-WB-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V 6,272库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V 517库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 17.7 dB 33 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel