|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
- EPC2052
- EPC
-
1:
¥19.0292
-
12,234库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2052
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
|
|
12,234库存量
|
|
|
¥19.0292
|
|
|
¥12.2379
|
|
|
¥8.3507
|
|
|
¥6.6557
|
|
|
¥6.2828
|
|
|
¥5.2658
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
8.2 A
|
13.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
- EPC2054
- EPC
-
1:
¥20.679
-
8,185库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2054
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
|
|
8,185库存量
|
|
|
¥20.679
|
|
|
¥13.3227
|
|
|
¥9.0965
|
|
|
¥7.2998
|
|
|
¥6.2828
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.0173
|
|
|
¥6.1924
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
3 A
|
43 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
2.9 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2055
- EPC
-
1:
¥26.8827
-
11,151库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2055
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
11,151库存量
|
|
|
¥26.8827
|
|
|
¥17.5376
|
|
|
¥12.2379
|
|
|
¥10.4186
|
|
|
¥10.0118
|
|
|
¥8.4411
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
29 A
|
3.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
6.6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
- EPC2059
- EPC
-
1:
¥36.4764
-
2,468库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2059
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
|
|
2,468库存量
|
|
|
¥36.4764
|
|
|
¥24.1481
|
|
|
¥17.1195
|
|
|
¥15.7183
|
|
|
¥14.8934
|
|
|
¥12.8255
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
170 V
|
24 A
|
9 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
5.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
- EPC2065
- EPC
-
1:
¥35.4029
-
2,928库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2065
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
|
|
2,928库存量
|
|
|
¥35.4029
|
|
|
¥23.4927
|
|
|
¥16.6223
|
|
|
¥15.2211
|
|
|
¥12.656
|
|
|
¥12.4074
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
60 A
|
3.6 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
9.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
- EPC2067
- EPC
-
1:
¥43.5954
-
1,998库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2067
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
|
|
1,998库存量
|
|
|
¥43.5954
|
|
|
¥31.5948
|
|
|
¥22.7469
|
|
|
¥22.1706
|
|
|
¥18.0348
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-14
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
69 A
|
1.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
17.1 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
- EPC2070
- EPC
-
1:
¥14.4753
-
4,019库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2070
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
|
|
4,019库存量
|
|
|
¥14.4753
|
|
|
¥9.266
|
|
|
¥6.1811
|
|
|
¥4.8816
|
|
|
¥4.0002
|
|
|
查看
|
|
|
¥4.4635
|
|
|
¥3.616
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
23 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
1.9 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
- EPC2103
- EPC
-
1:
¥88.592
-
980库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2103
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
|
|
980库存量
|
|
|
¥88.592
|
|
|
¥61.5398
|
|
|
¥51.2794
|
|
|
¥41.8552
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
2-Channel
|
80 V
|
30 A
|
5.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
6.5 nC, 6.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2106
- EPC
-
1:
¥22.0011
-
2,500库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2106
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
2,500库存量
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥14.1476
|
|
|
¥9.7632
|
|
|
¥7.8535
|
|
|
¥6.5427
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.6727
|
|
|
¥6.4071
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-9
|
N-Channel
|
2 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
70 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
730 pC, 730 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
- EPC2207
- EPC
-
1:
¥26.3855
-
7,500库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2207
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
|
|
7,500库存量
|
|
|
¥26.3855
|
|
|
¥17.2099
|
|
|
¥11.9893
|
|
|
¥10.17
|
|
|
¥9.9214
|
|
|
¥8.2716
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
14 A
|
22 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
4.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
- EPC2216
- EPC
-
1:
¥16.5432
-
4,950库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2216
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
|
|
4,950库存量
|
|
|
¥16.5432
|
|
|
¥10.5881
|
|
|
¥7.1303
|
|
|
¥5.6613
|
|
|
¥4.5087
|
|
|
查看
|
|
|
¥5.2206
|
|
|
¥4.3392
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
15 V
|
3.4 A
|
26 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
0.87 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8004
- EPC
-
1:
¥35.482
-
1,942库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC8004
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
1,942库存量
|
|
|
¥35.482
|
|
|
¥23.4136
|
|
|
¥16.5432
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥14.3058
|
|
|
¥12.2379
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
4 A
|
110 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
370 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8009
- EPC
-
1:
¥38.0471
-
2,460库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC8009
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
2,460库存量
|
|
|
¥38.0471
|
|
|
¥25.2329
|
|
|
¥17.8653
|
|
|
¥16.6223
|
|
|
¥15.7183
|
|
|
¥13.4809
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
65 V
|
4 A
|
130 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
370 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8010
- EPC
-
1:
¥25.4815
-
3,858库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC8010
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
3,858库存量
|
|
|
¥25.4815
|
|
|
¥16.5432
|
|
|
¥11.4921
|
|
|
¥9.6728
|
|
|
¥9.266
|
|
|
¥7.8535
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
4 A
|
160 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
360 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2203
- EPC
-
1:
¥12.1588
-
2,434库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2203
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
2,434库存量
|
|
|
¥12.1588
|
|
|
¥7.6953
|
|
|
¥5.1076
|
|
|
¥4.0115
|
|
|
¥3.2544
|
|
|
查看
|
|
|
¥3.6612
|
|
|
¥2.9041
|
|
|
¥2.8363
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
1.7 A
|
80 mOhms
|
- 4 V, 5.75 V
|
2.5 V
|
670 pC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2361
- EPC
-
1:
¥70.1391
-
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2361
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
|
|
|
¥70.1391
|
|
|
¥48.138
|
|
|
¥37.7194
|
|
|
¥35.482
|
|
|
¥30.7699
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
133 A
|
1 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
28 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
- EPC2088
- EPC
-
1:
¥43.1773
-
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2088
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
|
|
|
|
|
¥43.1773
|
|
|
¥28.702
|
|
|
¥20.5095
|
|
|
¥19.6846
|
|
|
¥15.9669
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
60 A
|
3.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
12.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
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|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2214
- EPC
-
1:
¥20.679
-
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2214
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
|
|
|
¥20.679
|
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¥13.3227
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¥9.0965
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¥7.2998
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¥6.0907
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查看
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¥7.0173
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¥5.8873
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最低： 1
倍数： 1
:
2,500
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|
SMD/SMT
|
BGA-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
10 A
|
20 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2204
- EPC
-
受限供货情况
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2204
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
29 A
|
6 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
5.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2302
- EPC
-
受限供货情况
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2302
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
133 A
|
1.8 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
23 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
- EPC2012C
- EPC
-
受限供货情况
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2012C
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
5 A
|
100 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
1 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
|
Mouser 零件编号
65-EPC2031
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-24
|
N-Channel
|
1
|
60 V
|
48 A
|
2.6 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
16 nC
|
- 40 C
|
+ 150
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
|
Mouser 零件编号
65-EPC2044
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1
|
100 V
|
9.4 A
|
10.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
4.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
|
Mouser 零件编号
65-EPC2069
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-16
|
N-Channel
|
1
|
40 V
|
80 A
|
2.25 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
12.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
Mouser 零件编号
65-EPC2092
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
|
|
|
|
|
SMD/SMT
|
|
N - Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
69 A
|
3.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
12 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
