GaN 场效应晶体管

GaN 场效应晶体管
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结果: 491
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
Navitas Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT
数据表
276库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 450

SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
2,874库存量
更多信息可用
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Qorvo GaN 场效应晶体管 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl 11库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
数据表
375库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
数据表
129库存量
最低： 1
倍数： 1

NI-200
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
数据表
产品评论
700库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1
Screw Mount 440217 N-Channel 150 V 24 A - 3 V - 40 C + 125 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
数据表
836库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 2.7 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
数据表
143库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
数据表
244库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 440196 N-Channel 120 V 7 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 14 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
数据表
产品评论
10库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
数据表
52库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
数据表
25库存量
19在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
数据表
54库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
MACOM GaN 场效应晶体管 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)
数据表
246库存量
120在途量
最低： 1
倍数： 1

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI780-2 N-Channel 145 V 70 A - 40 C + 85 C 714 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-50CW N-Channel 14 A - 40 C + 85 C 445 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
数据表
13库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan 10库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 Redesign of QPD1004
数据表
70库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 3.6 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 27.6 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 Redesign of QPD1011
数据表
70库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1.46 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 14.7 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 Redesign of QPD1014
数据表
70库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1 A - 8 V, 2 V - 40 C + 85 C 15.8 W