射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 587
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
数据表
165库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W + 200 C SMD/SMT 221-11-3
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
255库存量
50在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 20 A 125 V 175 MHz 14 dB 150 W + 200 C Screw Mount Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
1,494库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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90库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
1,546库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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870库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
3,796库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 15 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
6,491库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
数据表
551库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 500 mA 65 V 500 MHz 18 dB 2 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 305A-01 Tray
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 30 A 1 kV 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz
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433库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 10 MHz to 4 GHz 12.3 dB 21.5 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm Reel, Cut Tape, MouseReel


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz
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17库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 12 A 65 V 175 MHz 13 dB 60 W + 200 C Screw Mount


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet
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22库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 65 V 150 MHz 15 dB 150 W + 200 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP
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39库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz
数据表
537库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 45 MHz to 6 GHz 8.9 dB 20.3 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.4 mm x 1.2 mm Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
数据表
258库存量
160在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 900 mA 65 V 400 MHz 11 dB 5 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
240库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
503库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 8 A 40 V 870 MHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 165 C SMD/SMT PowerSO-12 Tube
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70G/TO270/REEL
数据表
89库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 370 mOhms 2 GHz 19.3 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
108库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
数据表
828库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel Si 15 mA 3 V 45 MHz to 6 GHz 20.9 dB 20 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
167库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
数据表
70库存量
40在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 13 A 65 V 200 MHz 9 dB 125 W - 65 C + 200 C Screw Mount 211-07
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 12 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 100 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 744A-01 Tray
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 250 mA to 300 mA 8 V 18 GHz 11 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk