碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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结果: 1,298
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
Infineon Technologies IMZA75R020M2HXKSA1
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750 V
数据表
500库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies IMZA75R025M2HXKSA1
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750 V
数据表
500库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies IMZA75R033M2HXKSA1
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750 V
数据表
500库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 65.6 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies IMZA75R050M2HXKSA1
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750 V
数据表
500库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 104 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies IMZA75R060M2HXKSA1
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750 V
数据表
500库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 124 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TOLL 750V 120A SIC
数据表
800库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TOLL 750V 37A SIC
数据表
2,000库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V 450库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 57 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
数据表
427库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
数据表
439库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
数据表
5库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
: 600

AEC-Q100
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
数据表
2库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R033M2HXKSA1
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
数据表
15库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R060M2HXKSA1
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
数据表
15库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220
数据表
160库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
数据表
1,117库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4
数据表
245库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-3
数据表
205库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET