新款MOSFET模块

安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥拓扑结构和带Al2O3 DBC陶瓷基板的热敏电阻,封装为F1型。该电源模块的特点是具有栅极源电压+22V/-10V、77A漏极连续电流(在TC = 80°C时(TJ = 175°C)、198W最大功率耗散和12.7mm爬电距离。NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET提供预涂热界面材料(TIM)和无预涂热界面材料。该SiC模块无铅、无卤化物,符合RoHS标准。典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电站和工业电源。
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onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽(SiC)模块该模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥和带三氧化二铝 (Al2O3) DBC陶瓷基板的热敏电阻,封装为F1型。2025/5/23 -
Wolfspeed YM六单元碳化硅电源模块汽车级模块,设计用于实现无缝设计集成和耐用性。2025/5/14 -
Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power ModulesRobust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.2025/2/20 -
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET提供200V额定电压、340A至500A电流范围,采用SOT-227B封装。2024/11/28 -
onsemi NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块包含基于半桥拓扑的8mΩ 、10mΩ 、15mΩ 和30mΩ/1200V M3S MOSFET。2024/8/28 -
onsemi NVVR26A120M1WSx碳化矽(SiC)VE-Trac™ B2 SiC高度集成了电源模块的一部分,适用于电动汽车/混合动力汽车牵引逆变器应用。2024/8/14 -
Infineon Technologies XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET半桥模块设计用于1.7kV至3.3kV的应用,以最大限度地提高载流能力。2024/8/9 -
Wolfspeed DM SiC半桥模块以非常低的质量和小体积外形尺寸提供大电流能力。2024/6/25 -
SemiQ GCMX 1200 V SiC MOSFET全桥模块非常适合用于光伏逆变器、储能系统和高压直流-直流转换器。2024/3/21 -
SemiQ GCMX 1200 V SiC MOSFET半桥模块低开关损耗、低结到外壳热阻以及非常坚固方便的安装。2024/3/21 -
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模块紧凑设计、双相、双半桥、80V汽车功率MOSFET模块。2024/3/4 -
onsemi NXV08H300DT1 MOSFET模块设计紧凑的双相、双半桥、80V汽车用功率MOSFET模块。2024/3/4 -
onsemi NVXR17S90M2SPx EliteSiC功率模块提高效率、功率密度和整体性能。2024/2/8 -
onsemi NVXR22S90M2SPx EliteSiC功率模块采用紧凑型兼容封装,具有更高的性能、效率和功率密度。2024/2/8 -
Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H模块为电动汽车 (EV) 充电和其他逆变器设计人员提供了机会。2023/12/5 -
onsemi NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC半桥模块具有两个3mΩ或4m Ω 1200V SiC MOSFET开关和一个采用HPS DBC或Si3N4 DBC的热敏电阻。2023/11/23 -
onsemi NXH008T120M3F2PTHG碳化硅 (SIC) 模块T型中性点钳位转换器 (TNPC) 模块,基于1200V M3S平面SiC MOSFET。2023/11/9 -
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块设计用于混合动力和电动汽车的直流/直流转换器级。2023/10/19 -
onsemi NXV10Vx三相汽车用功率MOSFET模块设计用于汽车应用中的高效电源管理。2023/10/7 -
onsemi NVXK2VR80WxT2碳化硅 (SiC) 模块1200V、80mΩ 三相桥式电源模块,采用A 双列直插式封装 (DIP)。2023/8/31 -
onsemi NVXK2VR40WXT2碳化硅 (SiC) 模块1200V、40mΩ 和55A三相桥式电源模块,采用双列直插封装 (DIP)。2023/8/31 -
onsemi NVXK2PR80WXT2碳化硅 (SiC) 模块1200V、80mΩ 和31A全桥电源模块,采用双列直插封装 (DIP)。2023/8/31 -
onsemi EliteSiC可满足太阳能逆变器和电动汽车充电器等严苛应用的需求。2023/3/15 -
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power ModuleThe module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.2023/3/9 -
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power ModuleThe module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.2023/3/9 -
