新款MOSFET模块

onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块
安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥拓扑结构和带Al2O3 DBC陶瓷基板的热敏电阻，封装为F1型。该电源模块的特点是具有栅极源电压+22V/-10V、77A漏极连续电流（在TC = 80°C时（TJ = 175°C）、198W最大功率耗散和12.7mm爬电距离。NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET提供预涂热界面材料（TIM）和无预涂热界面材料。该SiC模块无铅、无卤化物，符合RoHS标准。典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电站和工业电源。