新款绝缘栅双极晶体管(IGBT)

STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。在软换向导通和开关损耗上得到了性能优化。包含一个低正向电压降的续流二极管。STMicro STGWA30IH160DF2专门设计用于让任何谐振和软开关应用的效率最大化。该器件采用TO-247长引线封装。
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STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。2025/5/22 -
ROHM Semiconductor RGE场截止沟道IGBT集电极-发射极饱和电压低,开关损耗小。2025/1/15 -
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT(带二极管)在半桥拓扑中集成了2个IGBT和二极管。2024/12/24 -
ROHM Semiconductor RGA80Tx 1200V场截止沟槽型IGBT此系列器件具有低开关和导通损耗,非常适合用于电动压缩机和高压加热器。2024/10/17 -
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。2024/9/12 -
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT设计采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构。2024/9/12 -
IXYS Gen5 XPT IGBT具有650V额定电压、35A至220A电流范围以及低栅极电荷。2024/7/25 -
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT1200V、40A、低损耗、低热阻,采用TO-247长引线封装。2024/7/3 -
onsemi AFGHxL40T车规级IGBT符合AEC-Q101标准,采用坚固的场终止型VII沟槽结构。2024/6/12 -
onsemi FGB5065G2-F085 EcoSD® 2 HV-HE IGBT650V N沟道点火器件,用于PTC加热器和大电流系统应用。2024/6/4 -
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT TransistorsInclude a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.2024/4/24 -
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTsOffer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.2024/4/12 -
onsemi 热泵热泵是全球向安全和可持续加热转变的基石。2024/3/1 -
onsemi AFGHL50T65RQDN 650V 50A IGBT采用创新技术的第四代场终止型IGBT。2024/3/1 -
onsemi FGY4LxxT120SWD N沟道1200V IGBT该器件采用新颖的场终止型第7代IGBT技术和第7代二极管。2024/2/7 -
Bourns 电气化解决方案变压器、扼流圈、电阻器及其他专为电气化系统设计的产品。2023/12/20 -
onsemi FGHL60T120RWD 1200V 60A分立式IGBT采用 先进的第7代IGBT技术,采用TO247三引脚封装。2023/11/29 -
onsemi FGHL40T120RWD 1200V 40A分立式IGBT采用第7代IGBT技术,采用TO247三引脚封装。2023/11/29 -
onsemi AFGHxL25T单N沟道1200V 25A IGBT这些器件采用坚固、高性价比的场终止型VII沟槽结构。2023/11/22 -
onsemi FGY140T120SWD 1200V 140A快速分立式IGBT采用先进的第7代IGBT技术。2023/11/13 -
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT设计用于先进的沟槽式栅极场终止型结构。2023/10/31 -
Littelfuse 1200V Trench XPT™ IGBT(带Sonic二极管)采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺以及反向并联Sonic二极管进行开发。2023/10/18 -
onsemi FGH4L50T65SQD 650V 50A高速IGBT该器件在第四代IGBT系列中采用了创新的场终止型IGBT技术。2023/10/13 -
onsemi FGH4L50T65MQDC50 650V场终止型中速IGBT采用第4代场终止型IGBT技术和1.5 SiC肖特基二极管技术。2023/8/15 -
Nexperia NGWx沟槽式场终止型IGBT该器件为载流子存储沟槽栅场终止型结构与第三代技术相结合的创新成果。2023/8/9 -
