STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 203
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 600

Si TO-247-3 Through Hole - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C STGWA40IH65DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1
倍数： 1

Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 600
倍数： 600

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB-4 Tube
STMicroelectronics STGB20H65FB2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
数据表
无库存交货期 15 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

- 20 V, 20 V Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics STGB25N36LZAG
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics STGWA30H65DFB2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V Tube
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGF30H65DFB2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP pack
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

- 20 V, 20 V Tube
STMicroelectronics STGP30H65DFB2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

- 20 V, 20 V Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 435 V 1.1 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB25N40LZAG AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 2,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGB5H60DF Reel

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 2,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGB6M65DF2 Reel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 10A 600V
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 20 A 60 W - 55 C + 150 C STGD10NC60H Reel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 2,000
倍数： 1,000

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 20 A 30 W - 55 C + 175 C STGF10M65DF2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 300

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40V60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 600

Si - 20 V, 20 V STGWA30M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 300

Si TO-3P-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT28IH125DF Tube
STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed IGBT freewheeling diode
数据表

L9965P AEC-Q100 Reel
STMicroelectronics GWA75H65DRFB2AG
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT
数据表

AEC-Q100 Tube
STMicroelectronics STG200G65FD8AG
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650V 200A high-efficiency M series IGBT
数据表

AEC-Q100