HiPerFET 系列 MOSFET

结果: 105
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
数据表
3,528库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 250V 30A N-CH HIPER
数据表
547库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
数据表
661库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHT HiperFET 100v, 170A
数据表
1,383库存量
331在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
数据表
1,712库存量
1,820在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds
数据表
447库存量
150在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
数据表
487库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
数据表
1,881库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 1KV 7A N-CH POLAR
数据表
39库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
145库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 12 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds
数据表
284库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFET TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
数据表
260库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 1KV 6A
数据表
226库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 88 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500
数据表
3,683库存量
5,400在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
数据表
2,204库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
数据表
315库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 12 Amps 1000V
数据表
1,362库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
1,113库存量
330在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 44A
数据表
483库存量
100在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 36A N-CH X3CLASS
数据表
76库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
数据表
417库存量
590在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 38 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
数据表
26库存量
932在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
数据表
9库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 10 Amps 1000V
数据表
305库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube