碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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结果: 1,298
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
数据表
111库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
数据表
649库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO24
数据表
663库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
数据表
520库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
数据表
583库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
数据表
1,816库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
数据表
1,281库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
数据表
4,159库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1
数据表
1,458库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
数据表
2,422库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
Microchip Technology 碳化硅MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
数据表
982库存量
210在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
数据表
217库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101
数据表
372库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 75 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 55 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement AEC-Q101


Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
3,984库存量
2,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
数据表
781库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-247-3, Industrial
数据表
416库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
数据表
3,481库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263-7
数据表
764库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
SemiQ 碳化硅MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L
数据表
500库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
数据表
750库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
数据表
1,590库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
数据表
422库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC