碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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结果: 1,298
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L
数据表
311库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7, Industrial
数据表
1,158库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
数据表
321库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO24
数据表
416库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
数据表
670库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
数据表
1,946库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
数据表
787库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
数据表
82库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
数据表
618库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247
数据表
542库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-3
数据表
1,887库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET

IXYS 碳化硅MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
数据表
548库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
651库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
数据表
产品评论
199库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L
数据表
1,757库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
数据表
产品评论
1,629库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
数据表
1,916库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
数据表
626库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 60MOHM 900V
数据表
1,202库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1
数据表
1,269库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 60MOHM
数据表
261库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
数据表
584库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-4
数据表
466库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
数据表
946库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 39.5 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101