STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 203
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封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
1,005库存量
1,000在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 11 A 28 W - 55 C + 150 C STGF14NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd
数据表
2,086库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 30 W - 55 C + 175 C STGF15H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
数据表
127库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
2,146库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 37 W - 55 C + 175 C STGF20H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
数据表
468库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 32.6 W - 55 C + 175 C STGF20M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
数据表
411库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 38 W - 55 C + 175 C STGF30M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
1,012库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 6 A 20 W - 55 C + 150 C STGF6NC60HD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
数据表
2,422库存量
最低： 1
倍数： 1

Si STGP10M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
2,336库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 20 A 25 W - 55 C + 150 C STGP10NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd
数据表
434库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 115 W - 55 C + 175 C STGP15H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
数据表
747库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C STGP20M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp
数据表
299库存量
1,000在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGP20NC60V Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
976库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
数据表
931库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
数据表
1,990库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 15 A 65 W - 55 C + 150 C STGP8NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
数据表
147库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp
数据表
844库存量
800在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW20NC60VD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
数据表
560库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGW28IH125DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
70库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.75 V - 20 V, 20 V 30 A 260 W - 55 C + 175 C STGW30H65FB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
402库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW30NC60WD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
452库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120F2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
数据表
115库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
数据表
1,136库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65DFB Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
数据表
产品评论
394库存量
600在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
870库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube