.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics 碳化硅MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 68

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商标 = STMicroelectronics

安装风格

封装 / 箱体

晶体管极性

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

资格

重置所有

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正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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零件编号

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥104.5476
303库存量

制造商零件编号
SCT070W120G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

303库存量

更多信息可用

¥104.5476

¥86.106

¥66.0937

¥59.0538

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥104.9657
133库存量

制造商零件编号
SCT040HU65G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

了解更多的信息

数据表

133库存量

剪切带

¥104.9657

¥73.5291

¥63.9354

卷轴

¥59.7205

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥115.3052
47库存量

制造商零件编号
SCT055W65G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

了解更多的信息

数据表

47库存量

¥115.3052

¥92.4792

¥80.8176

¥58.3984

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥100.6604
85库存量

制造商零件编号
SCT070H120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

了解更多的信息

数据表

85库存量

剪切带

¥100.6604

¥70.4781

¥60.6358

卷轴

¥56.6582

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: ¥73.45
564库存量

制造商零件编号
SCT1000N170

Mouser 零件编号
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

了解更多的信息

数据表

564库存量

¥73.45

¥50.2963

¥37.2222

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6 A

1 Ohms

- 10 V, + 25 V

2.1 V

14 nC

- 55 C

+ 200 C

120 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: ¥131.5207
470库存量

制造商零件编号
SCT20N120AG

Mouser 零件编号
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

了解更多的信息

数据表

470库存量

¥131.5207

¥97.0218

¥67.3254

查看

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: ¥145.2502
90库存量

制造商零件编号
SCTWA40N12G24AG

Mouser 零件编号
511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

90库存量

¥145.2502

¥103.2255

¥90.4113

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

105 mOhms

- 18 V, + 18 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 200 C

290 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: ¥206.8691
6库存量
新产品

制造商零件编号
SCT011HU75G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT011HU75G3AG

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

了解更多的信息

数据表

6库存量

更多信息可用

剪切带

¥206.8691

¥152.0302

¥151.9511

卷轴

¥141.9393

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥110.2654
3库存量

制造商零件编号
SCT070HU120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

了解更多的信息

数据表

3库存量

更多信息可用

剪切带

¥110.2654

¥76.0942

¥68.4102

卷轴

¥65.3479

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

SCTWA90N65G2V-4
STMicroelectronics
1: ¥240.8708
101库存量

制造商零件编号
SCTWA90N65G2V-4

Mouser 零件编号
511-SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

101库存量

¥240.8708

¥182.0543

¥174.2799

报价

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

SCTW100N65G2AG
STMicroelectronics
1: ¥285.2911
281库存量
NRND

制造商零件编号
SCTW100N65G2AG

Mouser 零件编号
511-SCTW100N65G2AG

NRND

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

了解更多的信息

数据表

281库存量

¥285.2911

¥212.7451

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

69 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

162 nC

- 55 C

+ 200 C

420 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

SCTWA70N120G2V-4
STMicroelectronics
1: ¥266.9286
28库存量

制造商零件编号
SCTWA70N120G2V-4

Mouser 零件编号
511-SCTWA70N120G2V-4

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

28库存量

¥266.9286

¥195.7047

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HIP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

91 A

30 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

150 nC

- 55 C

+ 200 C

547 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥141.9393
新产品

制造商零件编号
SCT025H120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT025H120G3AG

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

了解更多的信息

数据表

更多信息可用

剪切带

¥141.9393

¥100.7508

¥94.0499

卷轴

¥87.7671

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥199.1851

制造商零件编号
SCT015W120G3-4AG

Mouser 零件编号
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

更多信息可用

¥199.1851

¥135.3288

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥111.8361
新产品

制造商零件编号
SCT027HU65G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT027HU65G3AG

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

了解更多的信息

数据表

更多信息可用

剪切带

¥111.8361

¥83.4618

¥72.207

卷轴

¥63.8563

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 600

AEC-Q100

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥104.9657

制造商零件编号
SCT040H120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

了解更多的信息

数据表

更多信息可用

剪切带

¥104.9657

¥73.5291

¥63.9354

卷轴

¥59.7205

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥104.3103

制造商零件编号
SCT055HU65G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

了解更多的信息

数据表

更多信息可用

剪切带

¥104.3103

¥72.9528

¥63.28

卷轴

¥59.0538

MouseReel 提供服务支持

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

SCT10N120AG
STMicroelectronics
1: ¥76.0942

制造商零件编号
SCT10N120AG

Mouser 零件编号
511-SCT10N120AG

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

了解更多的信息

数据表

更多信息可用

¥76.0942

¥44.748

¥39.0415

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

500 mOhms

- 10 V, + 25 V

3.5 V

22 nC

- 55 C

+ 200 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3-7
STMicroelectronics
1: ¥138.877
100在途量
新产品

制造商零件编号
SCT025H120G3-7

Mouser 零件编号
511-SCT025H120G3-7

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

了解更多的信息

数据表

100在途量

剪切带

¥138.877

¥107.4517

¥92.9764

¥92.886

卷轴

¥82.1397

最低： 1
倍数： 1

卷轴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: ¥95.1234
100在途量
新产品

制造商零件编号
SCT040W120G3-4

Mouser 零件编号
511-SCT040W120G3-4

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

100在途量

¥95.1234

¥57.7317

¥53.1891

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3-7
STMicroelectronics
1,000: ¥47.8894
无库存交货期 21 周
新产品

制造商零件编号
SCT070H120G3-7

Mouser 零件编号
511-SCT070H120G3-7

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

了解更多的信息

数据表

无库存交货期 21 周

卷轴

¥47.8894

最低： 1,000
倍数： 1,000

卷轴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1: ¥90.4904
无库存交货期 22 周
新产品

制造商零件编号
SCT070W120G3-4

Mouser 零件编号
511-SCT070W120G3-4

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

了解更多的信息

数据表

无库存交货期 22 周

¥90.4904

¥54.014

¥49.0533

最低： 1
倍数： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

SCTWA90N65G2V
STMicroelectronics
600: ¥165.432
无库存交货期 22 周

制造商零件编号
SCTWA90N65G2V

Mouser 零件编号
511-SCTWA90N65G2V

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

了解更多的信息

数据表

无库存交货期 22 周

¥165.432

最低： 600
倍数： 600

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
受限供货情况
新产品

制造商零件编号
SCTHC250N120G3AG

Mouser 零件编号
511-SCTHC250N120G3AG

新产品

STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

数据表

更多信息可用

受限供货情况

Through Hole

STPAK-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

239 A

10.5 nC

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

SCT011H75G3AG
STMicroelectronics
受限供货情况
新产品

制造商零件编号
SCT011H75G3AG

Mouser 零件编号
511-SCT011H75G3AG

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STMicroelectronics

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

数据表

受限供货情况

AEC-Q100

STMicroelectronics 碳化硅MOSFET

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持

6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W